到现在己经可以达到1500小时，美国更加贴合林致远的发动机寿命，不过他们现在正在研制，隔热涂层。~g,g.d!b`o`o`k\.￠n*e_t^
  但是在我国1968年“硅-砷化镓混合逻辑板”我国电子工业的“黑科技”突破，技术名称与定位。
  正式代号，“红旗-1”军用混合集成电路（Hybrid IC），核心创新，全球首款硅（Si）数字逻辑+砷化镓（GaAs）微波射频的混合集成模块。
  用途歼-9B战机AESA雷达、导弹制导计算机、超算核心，关键技术突破，硅基数字逻辑部分。?z¨x?s^w\8_./c_o.m-
  5μm光刻技术，采用接触式光刻机（仿现实世界1965年GCA公司技术），但通过吴老团队优化的紫外光源+光刻胶配方，将制程从10μm推进到5μm。
  缺陷控制，在无尘车间（实际为改造防空洞）中实现每平方厘米≤50个缺陷点，多层互联技术。
  使用陶瓷基板+金线键合（参考IBM SLT模块），实现4层金属互联，比单层PCB体积缩小70%。
  砷化镓微波部分，外延生长工艺，在硅基板上异质外延砷化镓薄膜（现实世界1970年代才突破），通过分子束外延（MBE）预研设备实现。!暁·税?宅¨ ?追+蕞~新+漳?踕￠
  难点硅与砷化镓晶格失配率达4%，通过梯度缓冲层降低缺陷密度，T/R模块集成，每个模块集成功率放大器（PA）+低噪声放大器（LNA）+移相器，尺寸15x15mm（现实世界1980年代水平）。
  混合封装与冷却，共形封装设计，硅逻辑板与砷化镓T/R模块，通过金-锡共晶焊固定在氧化铝陶瓷基板上，整体密封在钛合金外壳内。
  微通道冷却，外壳内刻蚀0.3mm宽铜微管，燃油以80c入口温度流过后，可维持芯片温度≤110c。
  生产流程（1968年工艺），硅晶圆制备，上海冶金所提纯6英寸硅单晶，实际历史1980年代才实现，林致远带来的黑科技设定。
  光刻与蚀刻，手动操作接触式光刻机，每片晶圆需2小时完成5μm图形转移，砷化镓异质集成。
  在硅晶圆选定区域外延生长GaAs，精度±1μm需显微镜辅助对准，封装测试，每块逻辑板人工键合500根金线，良品率仅35%（军品特供，不计成本）。
  对歼-9B战机的实际提升雷达性能，探测距离，从200公里（原PESA）增至240公里（AESA）。
  多目标能力，同时跟踪目标从8个提升至24个，电子战优势，可发射灵巧噪声干扰（GaAs器件快速变频能力）。
  系统减重航电总重从400kg降至150kg，增加2吨燃油或弹药携带量，技术局限性在1960年代与吴老合作，半导体是林致远最高明的办法。
  成本极高，单块逻辑板造价相当于5辆解放卡车1968年比值生产速度慢，每月仅能生产20块合格品，需200人手工操作。
  环境敏感，砷化镓部件在湿度＞60%时故障率翻倍需恒温恒湿机库。
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